原厂标准完整型号: SCT20N120

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

系列: -

FET 类型: SiCFET N 通道，碳化硅

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 290 毫欧 @ 10A，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 45nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 650pF @ 400V

功率 - 最大值: 175W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: HiP247

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