制造商零件编号：STB18N55M5

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK

系列：MDmesh V

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：550V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：16A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：192 毫欧 @ 8A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1260pF @ 100V

功率 - 最大值：110W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

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