技术资料
制造商零件编号:STB24N60M2
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
系列:MDmesh II Plus
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):190 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1060pF @ 100V
功率 - 最大值:150W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D?PAK
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