原厂标准完整型号: STB42N60M2-EP

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK

系列: MDmesh M2

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 34A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 87 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 55nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2370pF @ 100V

功率 - 最大值: 250W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

专业从事代理分销ST意法半导体STB42N60M2-EP,常备STB42N60M2-EP大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.