
技术资料
原厂标准完整型号: STE88N65M5
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
系列: MDmesh V
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 88A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 29 毫欧 @ 42A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 204nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 8825pF @ 100V
功率 - 最大值: 494W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: ISOTOP
供应商器件封装: ISOTOP
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