制造商零件编号：STGB30V60DF

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 60A 258W D2PAK

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 15V，30A

功率 - 最大值：258W

Switching Energy：383?J （开）， 233?J （关）

输入类型：标准

Gate Charge：163nC

25°C 时 Td（开/关）值：45ns/189ns

Test Condition：400V, 30A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：53ns

封装/外壳：TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

专业从事代理分销ST意法半导体STGB30V60DF,常备STGB30V60DF大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.