制造商零件编号：STGW25H120F2

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50A

Current - Collector Pulsed (Icm)：100A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.6V @ 15V，25A

功率 - 最大值：375W

Switching Energy：600?J （开）， 700?J （关）

输入类型：标准

Gate Charge：100nC

25°C 时 Td（开/关）值：29ns/130ns

Test Condition：600V，25A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

专业从事代理分销ST意法半导体STGW25H120F2,常备STGW25H120F2大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.