技术资料
制造商零件编号:STQ1NK60ZR-AP
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
系列:SuperMESH?/p>
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):300mA(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):15 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):94pF @ 25V
功率 - 最大值:3W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商器件封装:TO-92
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