技术资料
制造商零件编号:STW23NM60ND
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-247
系列:FDmesh?II
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):19.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):180 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2050pF @ 50V
功率 - 最大值:150W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247-3
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