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二极管和整流器 · ST意法半导体功率分立器件和模块产品

ST 二极管和整流器

二极管和整流器

意法半导体推出了肖特基和超高速整流器解决方案,满足了所有市场要求。 意法半导体最新开发的产品包括M系列,其提高了雪崩额定值,在小型PowerFLAT封装内整合了更大的电流。

 

我们的小信号肖特基二极管以及倒装片和SOD-923器件有助于满足最严格的空间节省要求,特别是便携式通信设备。

 

对于硅二极管已达到工作温度和功率密度极限的功率转换器应用,意法半导体的第一代和第二代碳化硅器件能够提供最佳的可靠性。

 

场效应整流器

意法半导体推出了一种新器件,即场效应整流器二极管。首款器件的额定电压为45 V,采用专有技术制造而成,在给定硅表面下实现了同类中最佳的VF/IR。

与传统的30 A肖特基二极管相比,采用FERD技术制造而成的30 A器件的正向电压降(VF)降低了近140 mV,却不会增加漏电流。

意法半导体正致力扩大新型二极管的阵容,将会提供多种额定电流的器件,也会提供更高电压的器件,另外在封装方面也会提供薄性封装以供选择。

汽车级二极管

意法半导体的肖特基二极管通过了AEC-Q101标准认证,面向DC-DC转换器,能够实现各种汽车功能。 这些专用产品保证可以在-40 °C ~+150 °C的结温下运行。给定整流器的汽车版产品可以通过产品编号中的扩展名“Y”进行识别。

为这些汽车级产品实现了裸片级和成品级筛选矩阵,满足了最严格的国际汽车质量要求。

碳化硅二极管

为了满足严格的最新效率规范(能源之星、80Plus、欧洲能源效率)的要求,电源设计者必须考虑使用新型功率转换器拓扑和效率更高的电子元件,例如高压碳化硅(SiC)肖特基二极管。

意法半导体的SiC二极管利用了碳化硅出色的物理特性,其动态反向恢复特性比硅好4倍、正向导通电压VF比它低15%。

在硬开关应用中,比如高端服务器和通讯电源,SiC肖特基二极管大幅降低了功率损耗,并且得到了广泛使用。它们还越来越多地被应用到太阳能逆变器、电机驱动器、不间断电源(UPS)和电动车(EV)之中。

意法半导体推出了全套SiC二极管,其电压范围为600 ~ 1200 V,包含单、双二极管。这些产品提供多种封装选项,从DPAK到TO-247,包含绝缘TO-220AB/AC,让设计者能够灵活提高效率和可靠性,加快产品面市步伐,削减成本。

肖特基势垒二极管

意法半导体的小信号和功率肖特基产品包括采用具有稳定雪崩特性的技术制造而成的15V~200V(STPS60SM200C)二极管。

在功率转换方面,与上一代二极管相比,新型M系列和低VF系列能够通过将VF降低100 mV来帮助设计者满足环境标准的要求,例如80+和“能源之星(Energy Star)”。

此外,在提高转换效率的同时,还缩小了封装尺寸。 采用新型PowerFLAT封装的器件提供了更高的功率密度。

其技术稳定性让意法半导体的二极管特别适于在太阳能电池板接线盒内实现旁路功能,主要是采用D倀AK和新型PowerFLAT封装的45V器件。

意法半导体最近引进了新型窄引线TO-220AB封装,特别适于半薄型或薄型笔记本电脑适配器。 由于其引线更窄,所以该封装可以完全插入PCB内部。额定电压为60V、80V、100V和120V的功率肖特基整流器已经提供该封装,并且会有更多二极管采用这种封装。

超高速整流器

意法半导体提供了电压为200~1200 V、具有各种VF/trr的超高速二极管,为各种应用实现了最佳性能。

在PFC和太阳能逆变器方面,意法半导体推出了第二代串联二极管,为SiC技术提供了低成本替代技术。

由于降低了漏电流,意法半导体所有产品的额定工作结温均高达175 °C


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