功率晶体管

面向高压和低压应用的先进电源技术以及多种封装选项和创新型晶片键合技术说明了意法半导体在功率晶体管领域的创新。我们的产品包括-500~1500V MOSFET、额定温度（200 °C）最高的碳化硅（SiC）MOSFET、击穿电压范围为350~1300V的IGBT和大量功率双极晶体管。

IGBT

由于采用了专利技术，意法半导体击穿电压范围为350~1300V的IGBT在开关性能和导通状态性能之间实现了最佳折中，从而在电机控制、光伏、UPS、汽车、感应加热、焊接、照明等应用内提供了更好的全方位节能型系统设计。

该系列IGBT产品具有如下特性：

VCE(SAT)低，从而降低了导通损耗

改善了关断能量扩散，提高了工作温度，从而降低了开关损耗

紧密的参数分布，简化了设计，易于并联

组合封装型专用反向并联二极管选项改善了功率耗散，实现了最佳散热管理

这些IGBT基于标准冲压穿透技术（白家电的理想选择）和新引进的沟槽栅场终止技术，实现了极为快速的关断时间、最小的尾电流、稳定的温度性能、低VCE(SAT)和正降额，提高了应用效率。

功率MOSFET

意法半导体的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。意法半导体面向高、低压MOSFET的制程增强了功率处理能力，从而实现了高效解决方案。

产品的主要特性包括：

击穿电压范围：-500 ~ 1500 V

提供30多种封装选项，包括带有专用控制引脚、能够提高开关效率的新型4引脚TO247-4封装和1-mm表贴封装PowerFLAT 8x8 HV、PowerFLAT 5x6 HV及VHV封装。这些表贴封装带有大片裸露金属作为漏极，使得其具有优异散热能力。

改善了栅电荷，降低了功耗，满足了当今极具挑战性的效率要求

面向所选产品线的本征快速体二极管

在各个支持负载点、电信DC-DC转换器、PFC、开关模式电源和汽车设备等应用的电压范围内，意法半导体都有符合您设计要求的MOSFET。

功率双极器件

意法半导体的功率双极晶体管是您节能型设计的完美选择。该系列产品包含达灵顿晶体管和VCES为15~1700 V的BJT。

意法半导体的功率双极晶体管的主要特性包括：

快速开关时间和极低的饱和电压，降低了开关和导通损耗

集成式二极管，减少了元件数量

hFE参数控制得宜，从而提高了可靠性

最佳性价比

宽带隙晶体管

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